AP6009S دیتاشیت

ALLPOWER AP6009S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ALLPOWER AP6009S
حجم فایل 66.23 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت ALLPOWER AP6009S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) AP6009S
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 58nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.18nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 270pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V,9A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه